去年末，臺(tái)積電（TSMC）在IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM 2023）上透露，其1.4nm制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā)工作已全面展開，進(jìn)展順利。這是臺(tái)積電首次對(duì)外披露其1.4nm制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)情況，對(duì)應(yīng)工藝的正式名稱為“A14”，至于工藝的具體規(guī)格和量產(chǎn)時(shí)間，暫時(shí)還不清楚。

臺(tái)積電的2nm工藝計(jì)劃在明年末量產(chǎn)，1.4nm工藝的推出時(shí)間大概在2027年至2028年之間。不過(guò)據(jù)UDN的最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在為更遙遠(yuǎn)的1nm工藝生產(chǎn)做規(guī)劃，將是首家準(zhǔn)備1nm工藝的代工廠，這讓半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)變得更加激烈、有趣。

此前臺(tái)積電在IEDM 2023上分享了部分信息，1nm工藝大概要等到2030年，正式名稱為“A10”。隨著包括CoWoS、InFO和SoIC等封裝技術(shù)的進(jìn)步，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2030年左右可以打造萬(wàn)億級(jí)晶體管的芯片。臺(tái)積電采用的方法與英特爾比較相似，問(wèn)題在于如何實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，最近半導(dǎo)體行業(yè)一直被收益率和產(chǎn)能所困擾。

據(jù)稱，臺(tái)積電的1nm工藝將是一個(gè)昂貴的計(jì)劃，預(yù)計(jì)總開發(fā)成本超過(guò)了320億美元。臺(tái)積電也會(huì)為1nm工藝新建一座晶圓廠，地點(diǎn)在中國(guó)臺(tái)灣南部的嘉義縣，總面積超過(guò)了100公頃，同時(shí)會(huì)按照60/40的比例劃分，以同時(shí)滿足半導(dǎo)體制造和封裝的需求。

雖然先進(jìn)工藝的開發(fā)難度越來(lái)越大，投入越來(lái)越高，不過(guò)臺(tái)積電并沒(méi)有停止前進(jìn)的步伐，除了1nm工廠，預(yù)計(jì)還會(huì)建造多座2nm工廠。