上圖中最直觀的寫(xiě)入量信息是F1項(xiàng)主機(jī)寫(xiě)入量總計(jì)，當(dāng)前為795892GB（換算后為777.24TB）。除了主機(jī)寫(xiě)入量之外，金士頓UV400還提供了更細(xì)致的寫(xiě)入量統(tǒng)計(jì)，包括E7項(xiàng)SLC NAND寫(xiě)入量、E9項(xiàng)TLC NAND寫(xiě)入量。閃存平均擦寫(xiě)次數(shù)的計(jì)算方式是將E9項(xiàng)TLC NAND寫(xiě)入量除以閃存RAW容量（256GB）,可得出當(dāng)前UV400的閃存平均擦寫(xiě)次數(shù)達(dá)到3100次以上，達(dá)到了與MLC閃存一致的水平。

MLC一樣的耐久度證明了金士頓UV400 SSD的強(qiáng)大實(shí)力，PCEVA論壇中的用戶也一次次向金士頓投來(lái)了驚訝的目光和掌聲。

UV400耐久測(cè)試 數(shù)據(jù)震驚評(píng)測(cè)室

PCEVA論壇對(duì)金士頓UV400的耐久度測(cè)試中，以8MB區(qū)塊持續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方式進(jìn)行，以TLC閃存寫(xiě)入量除以顆粒RAW容量獲得閃存平均擦寫(xiě)次數(shù)。對(duì)于TLC固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，所有新寫(xiě)入的數(shù)據(jù)都會(huì)首先進(jìn)入SLC Cache當(dāng)中，并在整理歸并后釋放到TLC閃存當(dāng)中，以此提高寫(xiě)入性能并降低寫(xiě)入放大率。同時(shí)，如果在SLC Cache中的數(shù)據(jù)尚未釋放之前就被刪除，這部分?jǐn)?shù)據(jù)將不會(huì)寫(xiě)入到TLC閃存，從而節(jié)省不必要的閃存磨損，在耐久度測(cè)試當(dāng)中每當(dāng)寫(xiě)滿SSD之后就需要?jiǎng)h除全部文件重新開(kāi)始，所以我們能夠看到，UV400的TLC NAND寫(xiě)入量略小于SLC NAND寫(xiě)入量。