三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。

海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

海力士DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的運(yùn)行速度高達(dá)2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時(shí)運(yùn)行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數(shù)據(jù)傳輸帶寬高達(dá)19.2GB/s。

海力士計(jì)劃2012年下半年開始批量生產(chǎn)這種高性能DDR4內(nèi)存，主要提供給微型服務(wù)器(micro server)市場(chǎng)，暫無消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品規(guī)劃。

市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli認(rèn)為，DDR4 DRAM在整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)上的份額2013年約為5％，2015年即可超過50％成為主流，同時(shí)DDR3 DRAM內(nèi)存在2012年達(dá)到71％的份額高峰，2014年就會(huì)迅速滑落到49％。