按照臺(tái)積電（TSMC）的安排，將在2nm制程節(jié)點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，同時(shí)制造過程仍依賴于極紫外（EUV）光刻技術(shù)，計(jì)劃2025年進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，客戶在2026年就能收到首批采用N2工藝制造的芯片。

據(jù)Trendforce報(bào)道，有報(bào)告顯示，臺(tái)積電正在積極安裝對(duì)于先進(jìn)工藝至關(guān)重要的EUV光刻機(jī)，以應(yīng)付2nm工藝的量產(chǎn)，今年和明年將接收超過60臺(tái)EUV光刻機(jī)，投入的資金額超過4000億新臺(tái)幣（約合123億美元/人民幣894億元）。

隨著ASML不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年EUV光刻機(jī)的交付量將增長(zhǎng)30%以上，臺(tái)積電也會(huì)因此受益。去年ASML為了響應(yīng)客戶的需求計(jì)劃增產(chǎn)，明年的EUV光刻機(jī)交付量會(huì)有明顯增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)今年為53臺(tái)，明年增至72臺(tái)以上。據(jù)了解，ASML在2025年的目標(biāo)產(chǎn)能為90臺(tái)EUV光刻機(jī)、600臺(tái)DUV光刻機(jī)、以及20臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

EUV光刻機(jī)的供應(yīng)一直很緊張，交貨時(shí)間在16至20個(gè)月之間，2024年的訂單大部分要到2025年才能交付。傳聞臺(tái)積電2024年訂購(gòu)了30臺(tái)EUV光刻機(jī)，2025年為35臺(tái)。不過由于臺(tái)積電可能會(huì)對(duì)資本支出計(jì)劃進(jìn)行調(diào)整，這些數(shù)字最終會(huì)略有變化。此外，臺(tái)積電有望在今年某個(gè)時(shí)候接受到最新的High-NA EUV光刻機(jī)。