近年來，ASML站到了世界半導(dǎo)體技術(shù)的中心位置，成為了先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)供應(yīng)鏈的關(guān)鍵一環(huán)。目前ASML有序地執(zhí)行其路線圖，在EUV之后是High-NA EUV技術(shù)，去年末已向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。雖然業(yè)界才剛剛準(zhǔn)備邁入High-NA EUV時(shí)代，但是ASML已經(jīng)開始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案。

據(jù)外媒報(bào)道，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV技術(shù)路線圖，目前仍處于開發(fā)的早期階段。前ASML首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink在今年5月舉行的imec ITF World的演講中表示，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來說需要改進(jìn)照明系統(tǒng)，必須采用Hyper-NA，同時(shí)還需要將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)效率提升至每小時(shí)400到500片晶圓。

ASML計(jì)劃在2030年左右提供Hyper-NA EUV光刻機(jī)，數(shù)值孔徑將達(dá)到0.75。相比之下，High-NA EUV提供的數(shù)值孔徑為0.55，EUV則是0.33，隨著精度的進(jìn)一步提高，可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。對(duì)ASML而言，未來Hyper-NA技術(shù)還將推動(dòng)其整體EUV能力平臺(tái)，以改善成本和交付周期。

Hyper-NA技術(shù)肯定會(huì)帶來一些新的挑戰(zhàn)，比如光刻膠，需要變得更薄。按照imec高級(jí)圖案化項(xiàng)目總監(jiān)Kurt Ronse的說法，High-NA EUV應(yīng)該可以覆蓋2nm到1.4nm，再到1nm甚至0.7nm的制程節(jié)點(diǎn)。在那之后，Hyper-NA EUV將開始接管。