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臺(tái)積電1.6nm技術(shù)A16首次公開(kāi) 2026年開(kāi)始量產(chǎn)

時(shí)間:2024-04-25 14:37:36
  • 來(lái)源:快科技
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:方形的圓

快科技今日(4月25日)消息,今天臺(tái)積電在美國(guó)舉行了“2024年臺(tái)積電北美技術(shù)論壇”,公布了其最新的制程技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)、以及三維集成電路(3D IC)技術(shù)等。

臺(tái)積電1.6nm技術(shù)A16首次公開(kāi) 2026年開(kāi)始量產(chǎn)

在論壇上,臺(tái)積電首次公開(kāi)了名為TSMC A16(1.6nm)的制程技術(shù)。

據(jù)介紹,A16將結(jié)合臺(tái)積電的超級(jí)電軌構(gòu)架與納米片晶體管,預(yù)計(jì)于2026年量產(chǎn)。

超級(jí)電軌技術(shù)可以將供電網(wǎng)絡(luò)移到晶圓背面,為晶圓正面騰出更多空間,從而提升邏輯密度和性能,讓A16適用于具有復(fù)雜信號(hào)布線及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高效能運(yùn)算(HPC)產(chǎn)品。

臺(tái)積電表示,相較于N2P制程,A16芯片密度提升高達(dá)1.10倍,在相同工作電壓下,速度增快8-10%;在相同速度下,功耗降低15-20%。

除了A16外,臺(tái)積電還宣布將推出N4C技術(shù),N4C延續(xù)了N4P技術(shù),晶粒成本降低高達(dá)8.5%且采用門檻低,預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)。

臺(tái)積電1.6nm技術(shù)A16首次公開(kāi)!2026年開(kāi)始量產(chǎn)

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