SK海力士今天宣布，他們已經(jīng)成功開發(fā)出HBM3 DRAM內(nèi)存，是全球首家開發(fā)出新一代HBM內(nèi)存的公司，這是HBM系列內(nèi)存的第四代產(chǎn)品（HBM2E也算一代），新的HBM3不僅提供了更高的帶寬，還堆疊了更多層數(shù)的DRAM來增加容量。

SK海力士去年7月份才開始量產(chǎn)HBM2E內(nèi)存，而現(xiàn)在就推出了HBM3，研發(fā)進(jìn)度還是相當(dāng)快的，這可進(jìn)一步鞏固他們在市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位。SK海力士的HBM3可提供兩種容量，一個是12層硅通孔技術(shù)垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，前者的芯片高度其實也不過30微米。

性能方面，SK海力士的HBM3可提供819GB/s的帶寬，比上一代HBM2E的帶寬則是460GB/s，帶寬提高了78%，像NVIDIA的A100計算卡目前用了6顆HBM2E做顯存，可提供2TB/s的帶寬，換成HBM3后帶寬最高能提到4.9TB/s，顯存容量最高也能到144GB。

與HBM2E相比HBM3內(nèi)存還內(nèi)置了片上糾錯技術(shù)，顯著提高了產(chǎn)品的可靠性，預(yù)計HBM3將會主要被用在高性能數(shù)據(jù)中心以及機(jī)械學(xué)習(xí)平臺上，以提高人工智能水平和超級計算機(jī)的性能，可用于氣候變化分析和藥物開發(fā)。