三星S10新功能曝光:同樣支持反向充電 最高功率9W
- 來(lái)源:快科技
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- 編輯:newtype2001
2月21日,三星將正式發(fā)布新一代旗艦Galaxy S10,從之前曝光的細(xì)節(jié)看,這會(huì)是一個(gè)龐大的系列,其包含至少5個(gè)型號(hào)機(jī)型,你們期待它們的到來(lái)嗎?
現(xiàn)在,美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)給出的最新細(xì)節(jié)顯示,Galaxy S10將提供一個(gè)新的功能,而它就是反向充電,是不是聽(tīng)起來(lái)很熟悉,因?yàn)橹叭A為Mate 20系列上已經(jīng)率先提供了這個(gè)功能。
按照FCC的表述,Galaxy S10的反向充電功能,將允許用戶對(duì)iPhone、某些Android智能機(jī)、甚至智能手表等支持Qi標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備,進(jìn)行反向無(wú)線充電。
跟華為不同的是,三星的這個(gè)反向充電功能充電速度上會(huì)更快一些,其最大無(wú)線輸出功率為9W,至少比iPhone標(biāo)配的充電頭給力多了。
不知道接下來(lái)還有哪些廠商會(huì)跟風(fēng)推出這個(gè)功能?和上一代Galaxy S9系列相比,Galaxy S10最大的變化是取消了背部指紋識(shí)別,而是采用的屏幕指紋方案。據(jù)悉,三星Galaxy S10系列搭載了高通超聲波屏幕指紋技術(shù),指紋識(shí)別速度和安全性要比其它方案更高。
核心配置上,三星Galaxy S10、Galaxy S10+搭載高通驍龍855旗艦平臺(tái)(部分版本搭載的是Exynos 9820)。高通驍龍855基于7nm工藝制程打造,采用全新的三叢集八核心架構(gòu),CPU主頻達(dá)到了2.84GHz,GPU為Adreno 640,安兔兔跑分高達(dá)36萬(wàn)。


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