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英特爾將在美國成立半導(dǎo)體制造中心 投資上千億美元建造一座小城

時間:2021-08-09 20:27:03
  • 來源:超能網(wǎng)
  • 作者:呂嘉儉
  • 編輯:豆角

自從英特爾CEO帕特-基爾辛格(Pat Gelsinger)在今年3月底公布了IDM 2.0戰(zhàn)略,確定組建英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS)以來,英特爾不但在原有的晶圓廠基礎(chǔ)上進(jìn)行擴建,而且還尋找新址建造全新的晶圓廠,以擴大產(chǎn)能規(guī)模滿足未來的代工需求。

英特爾將在美國成立半導(dǎo)體制造中心 投資上千億美元建造一座小城

英特爾首先投資約200億美元,在美國亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠,隨后又投資35億美元,對位于新墨西哥州的晶圓廠進(jìn)行升級。接著帕特-基爾辛格又與歐盟官員會面,討論建立新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施的可能性,選址暫定在德國巴伐利亞州慕尼黑附近的一個廢棄空軍基地,目標(biāo)是建造一個擁有八座晶圓廠,價值1000億美元的半導(dǎo)體制造基地,并打造垂直整合的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。英特爾還在以色列也投資了100億美元建設(shè)一座新的晶圓廠,第一階段的建設(shè)已經(jīng)開始。

近日,帕特-基爾辛格在接受《華盛頓郵報》采訪的時候表示,英特爾將在今年年底之前決定下一個位于美國的半導(dǎo)體制造中心的確切位置,很可能會在大學(xué)附近,方便招募人才。該制造基地會擁有6到8個半導(dǎo)體制造模塊,使用英特爾最先進(jìn)的制造技術(shù)(4nm或3nm工藝)和芯片封裝(比如EMIB和Foveros封裝技術(shù))設(shè)施,而且會有一座專用的發(fā)電廠。

每個半導(dǎo)體制造模塊的成本會在100億至150億美元之間,因此未來十年英特爾對這個半導(dǎo)體制造中心的投資最低也有600億美元,最高可達(dá)1200億美元。帕特-基爾辛格表示目前計劃是投資1000億美元,創(chuàng)造10000個直接就業(yè)機會,加上帶動的10萬個周邊工作崗位,本質(zhì)上其目標(biāo)就是建造一座小城市。

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